Deep hole traps in VPE p-type InP

M. Inuishi, B. W. Wessels

研究成果: Article査読

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抄録

Deep hole traps were investigated in vapour phase epitaxial p-type InP by transient capacitance spectroscopy. A total of five hole traps were observed with activation energies of 0.09, 0.22, 0.29, 0.41 and 0.50 eV in Al-InP Schottky barriers and p-n+ junctions. Trap concentrations ranged from 1013 to 1014 cm-3.

本文言語English
ページ(範囲)685-686
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
17
19
DOI
出版ステータスPublished - 1981 9 17
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Deep hole traps in VPE p-type InP」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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