Dependence of far-field characteristics on the number of lasing modes in stadium-shaped InGaAsP microlasers

Muhan Choi*, Susumu Shinohara, Takahisa Harayama

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抄録

We study spectral and far-field characteristics of lasing emission from stadium-shaped semiconductor (InGaAsP) microlasers. We demonstrate that the correspondence between a lasing far-field emission pattern and the result of a ray simulation becomes better as the number of lasing modes increases. This phenomenon is reproduced in the wave calculation of the cavity modes.

本文言語English
ページ(範囲)17554-17559
ページ数6
ジャーナルOptics Express
16
22
DOI
出版ステータスPublished - 2008 10月 27
外部発表はい

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  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

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