Dependence of resonant electron and hole tunnelling times between quantum wells on barrier thickness

A. P. Heberle*, X. Q. Zhou, A. Tackeuchi, W. W. Ruhle, K. Kohler

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抄録

We investigated resonant tunnelling of electrons and holes between coupled quantum wells using time-resolved luminescence spectroscopy. Exponential dependence of tunnelling times on barrier width is observed for electrons but not for holes. The tunnelling times of electrons are correctly described by a model which takes into account inhomogeneous broadening.

本文言語English
論文番号032
ページ(範囲)519-522
ページ数4
ジャーナルSemiconductor Science and Technology
9
5 S
DOI
出版ステータスPublished - 1994 12月 1
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
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