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研究成果
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Deposition mechanism of a-Si: H films fabricated by coaxial-line-type microwave plasma chemical vapour deposition
Isamu Kato
*
, Kazuhisa Hatanaka, Tetsuya Tatsumi
*
この研究の対応する著者
早稲田大学
研究成果
:
Article
›
査読
1
被引用数 (Scopus)
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Deposition mechanism of a-Si: H films fabricated by coaxial-line-type microwave plasma chemical vapour deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Chemical vapor deposition
100%
Plasmas
79%
Microwaves
75%
Hydrogen
68%
Silanes
65%
Dangling bonds
31%
Amorphous silicon
23%
Argon
19%
Potential energy
18%
Atoms
17%
Thermodynamic stability
17%
Landing
17%
Annealing
17%
Stabilization
14%
Temperature
6%