Development of silsesquioxane-type gate insulating thin films for poly(3-hexylthiophene)-based field-effect transistor

T. Hamada*, K. Tomatsu, T. Nagase, T. Kobayashi, S. Murakami, M. Watanabe, H. Naito, K. Matsukawa

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研究成果: Paper査読

フィンガープリント

「Development of silsesquioxane-type gate insulating thin films for poly(3-hexylthiophene)-based field-effect transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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