Device-circuit interactions in extremely low voltage CMOS designs (invited)

Hiroshi Fuketa*, Tadashi Yasufuku, Satoshi Iida, Makoto Takamiya, Masahiro Nomura, Hirofumi Shinohara, Takayasu Sakurai

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

11 被引用数 (Scopus)

抄録

In this paper, energy and minimum operating voltage (V DDmin) are investigated for extremely-low-voltage CMOS logic designs. The dependences of energy and V DDmin on device parameters, such as threshold voltage, subthreshold swing parameter, and DIBL coefficient, are examined based on simulations and measurements.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2011 International Electron Devices Meeting, IEDM 2011
ページ25.1.1-25.1.4
DOI
出版ステータスPublished - 2011 12 1
外部発表はい
イベント2011 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2011 - Washington, DC, United States
継続期間: 2011 12 52011 12 7

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN(印刷版)0163-1918

Other

Other2011 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2011
国/地域United States
CityWashington, DC
Period11/12/511/12/7

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Device-circuit interactions in extremely low voltage CMOS designs (invited)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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