DIRECT ENGRAVING ON POSITIVE RESISTS BY SYNCHROTRON RADIATION.

S. Ichimura*, M. Hirata, H. Tanino, N. Atoda, M. Ono, K. Hoh

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference article査読

13 被引用数 (Scopus)

抄録

Direct engraving of mask patterns in a resist film was tried by exposing with synchrotron radiation. Using a stencil mask made of a Si//3N//4 substrate, submicron structures could be successfully replicated. Fundamental aspects of resist decomposition by synchrotron radiation were also investigated by mass and electron spectroscopy.

本文言語English
ページ(範囲)1076-1079
ページ数4
ジャーナルJournal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
1
4
DOI
出版ステータスPublished - 1983 1 1
外部発表はい
イベントProc of the Int Symp on Electron, Ion, and Photon Beams - Los Angeles, CA, USA
継続期間: 1983 5 311983 6 3

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「DIRECT ENGRAVING ON POSITIVE RESISTS BY SYNCHROTRON RADIATION.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル