Electrical conduction properties of n-type Si-doped AIN with high electron mobility (>100 cm2 V-1 s-1)

Yoshitaka Taniyasu*, Makoto Kasu, Toshiki Makimoto

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抄録

For n-type Si-doped AlN, we have obtained an electron mobility and concentration of 125 cm2 V-1 s-1 and 1.75 × 10 15 cm-3 at 300 K, respectively. At 250 K, the mobility reached the maximum of 141 cm2 V-1s-1. To explain the temperature dependence of the mobility, we calculated mobilities limited by specific scattering mechanisms. We found that the mobility is limited by neutral impurity scattering rather than ionized impurity scattering or lattice scattering because of a large donor ionization energy (∼ 250 meV).

本文言語English
ページ(範囲)4672-4674
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
85
20
DOI
出版ステータスPublished - 2004 11月 15
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

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