Electrical resistivity and microstructures of sputtered CuxMo6S8 films

B. R. Zhao*, R. Ohtaki, H. L. Luo, L. D. Flesner

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抄録

The resistivity of superconducting CuxMo6S8 films prepared by sputtering was measured between 10 and 300 K. Using a scanning electron microscope, the microstructures of the films with different preparation conditions were examined. The broadly varying values of the measured resistivities were explained on the basis of the particular microstructures of the films.

本文言語English
ページ(範囲)185-192
ページ数8
ジャーナルThin Solid Films
110
3
DOI
出版ステータスPublished - 1983 12 16
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
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  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Electrical resistivity and microstructures of sputtered Cu<sub>x</sub>Mo<sub>6</sub>S<sub>8</sub> films」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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