抄録
We demonstrate the first continuous wave operation of electrically driven photoniccrystal lasers on Si at room temperature. Plasma assisted bonding integrated III-V semiconductor devices on Si. The device exhibited a 33 μA threshold current.
本文言語 | English |
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出版ステータス | Published - 2014 1月 1 |
外部発表 | はい |
イベント | 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2014 - San Jose, United States 継続期間: 2014 6月 8 → 2014 6月 13 |
Other
Other | 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2014 |
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国/地域 | United States |
City | San Jose |
Period | 14/6/8 → 14/6/13 |
ASJC Scopus subject areas
- 電子工学および電気工学
- 原子分子物理学および光学
- 電子材料、光学材料、および磁性材料