Electronic structure of NiAs-type MnTe

H. Sato*, M. Tamura, N. Happo, T. Mihara, M. Taniguchi, T. Mizokawa, A. Fujimori, Y. Ueda

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抄録

Valence-band and conduction-band structures of NiAs-type MnTe have been investigated by means of ultraviolet photoemission and inverse-photoemission spectroscopy. We estimate the Mn 3d spin-exchange splitting energy to be 6.6 ± 0.2 eV. The Mn 3d-derived spectra of MnTe have been calculated in terms of a configuration interaction theory.

本文言語English
ページ(範囲)153-154
ページ数2
ジャーナルJournal of Magnetism and Magnetic Materials
140-144
PART 1
DOI
出版ステータスPublished - 1995 2
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

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「Electronic structure of NiAs-type MnTe」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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