Enhancement of spontaneous emission rate in nitrides by resonant surface plasmon coupling

A. Neogi*, C. W. Lee, H. O. Everitt, T. Kuroda, A. Tackeuchi, E. Yablonovitch

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抄録

Spontaneous emission rate in nitrides was enhanced. The degree of enhancement increased with increasing film thickness and decreasing GaN cap layer thickness. Enhancement factors of almost 100 were indicated by dramatically accelerated TRPL decay at a frequency corresponding to the SP resonance.

本文言語English
ページ258-259
ページ数2
出版ステータスPublished - 2002 1月 1
外部発表はい
イベントQuantum Electronics and Laser Science (QELS) 2002 - Long Beach, CA, United States
継続期間: 2002 5月 192002 5月 24

Conference

ConferenceQuantum Electronics and Laser Science (QELS) 2002
国/地域United States
CityLong Beach, CA
Period02/5/1902/5/24

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Enhancement of spontaneous emission rate in nitrides by resonant surface plasmon coupling」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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