Epitaxia growth of a low-density framework form of crystalline silicon: A molecular-dynamics study

S. Munetoh*, K. Moriguchi, K. Kamei, A. Shintani, T. Motooka

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抄録

A route for preparing pristine Si clathrates with epitaxial growth techniques was theoretically studied using molecular-dynamics (MD) simulations. results suggest that new wide-gap Si semiconductors with clathrate structures can be prepared using epitaxial growth techniques.

本文言語English
ページ(範囲)4879-4882
ページ数4
ジャーナルPhysical Review Letters
86
21
DOI
出版ステータスPublished - 2001 5月 21
外部発表はい

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