Epitaxial growth of Fe3Si/GaAs(0 0 1) hybrid structures for spintronic application

J. Herfort*, H. P. Schönherr, A. Kawaharazuka, M. Ramsteiner, K. H. Ploog

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抄録

Fe3Si/GaAs(0 0 1) hybrid structures of high crystal and interfacial perfection are fabricated by molecular beam epitaxy at 200°C. The composition of the films can be tuned over a wide range of Si content. The Fe3Si/GaAs(0 0 1) films are robust against thermal annealing up to 425°C. Room-temperature spin injection is demonstrated from the ferromagnetic metal Fe3Si into the semiconductor GaAs by analyzing the circular polarization of the electroluminescence intensity emitted by an n-i-p light-emitting diode.

本文言語English
ページ(範囲)666-670
ページ数5
ジャーナルJournal of Crystal Growth
278
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 2005 5月 1

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  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

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