ESD protection of RF circuits in standard CMOS process

K. Higashi*, A. O. Adan, M. Fukumi, N. Tanba, T. Yoshimasu, M. Hayashi

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抄録

The electro-static discharge (ESD) protection of radio frequency (RF) circuits in standard complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) process was discussed. Results showed that the degradation of the radio frequency (RF) characteristics by ESD protection device capacitance CESD depends on the ratio of CESD and input transistor gate capacitance. The parasitic capacitance of the ESD device is reduced to ∼150 fF by using SCR(silicon controlled rectifiers)-based protection device.

本文言語English
ページ285-288
ページ数4
出版ステータスPublished - 2002 1月 1
外部発表はい
イベント2002 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium - Seatle, WA, United States
継続期間: 2002 6月 22002 6月 4

Conference

Conference2002 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium
国/地域United States
CitySeatle, WA
Period02/6/202/6/4

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  • 工学(全般)

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「ESD protection of RF circuits in standard CMOS process」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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