ESD protection of RF circuits in standard CMOS process

K. Higashi*, A. O. Adan, M. Fukumi, N. Tanba, T. Yoshimasu, M. Hayashi

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抄録

The tradeoffs in the ESD protection device for RFCMOS circuits are described, and the characteristics of an SCR-based ESD structure are presented. The parasitic capacitance of the ESD structure is reduced to ∼150fF. 3kV HBM and 750V CDM are achieved in a LNA working at 2.5GHz with NF<4dB, applicable for Bluetooth wireless transceiver.

本文言語English
ページ(範囲)31-34
ページ数4
ジャーナルIEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
1
出版ステータスPublished - 2002 1月 1
外部発表はい
イベント2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest - Seattle, WA, United States
継続期間: 2002 6月 22002 6月 7

ASJC Scopus subject areas

  • 放射線
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「ESD protection of RF circuits in standard CMOS process」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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