Evaluation of anisotropic biaxial stress in thin strained-SiGe layer using surface enhanced Raman spectroscopy

S. Yamamoto*, D. Kosemura, M. Tomita, S. Che Mohd Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, A. Ogura

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抄録

We applied surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) to the excitation of transversal optical (TO) phonos in strained SiGe. The SERS technique can greatly enhance the Raman signal owing to metal-surface plasmon resonance. Furthermore, the electrical field includes a large amount of z-polarization, which can excite TO phonons. In this study, we evaluated anisotropic biaxial stress state in thin strained-SiGe layer on a Si substrate with the SERS technique.

本文言語English
ページ(範囲)841-847
ページ数7
ジャーナルECS Transactions
64
6
DOI
出版ステータスPublished - 2014
外部発表はい
イベント6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting - Cancun, Mexico
継続期間: 2014 10月 52014 10月 9

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「Evaluation of anisotropic biaxial stress in thin strained-SiGe layer using surface enhanced Raman spectroscopy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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