Extreme expansion of proximity gap by double exposures using enlarged pattern masks for line and space pattern formation in x-ray lithography (evolution of exposure method to symmetric illumination)

E. Toyota*, M. Washio, H. Watanabe, H. Sumitani

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本文言語English
ページ(範囲)2821-2825
ページ数5
ジャーナルJournal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
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DOI
出版ステータスPublished - 2003

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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