Fabrication and characterisation of suspended narrow silicon nanowire channels for low-power nano-electro-mechanical (NEM) switch applications

L. Boodhoo*, L. Crudgington, H. M.H. Chong, Y. Tsuchiya, Z. Moktadir, T. Hasegawa, H. Mizuta

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

20 被引用数 (Scopus)

抄録

Suspended silicon nanowires with narrow (∼10 nm) conduction channel are fabricated and characterised for further development of low power nano-electro-mechanical (NEM) switching devices using CMOS compatible fabrication. Double suspension fabrication process using an amorphous silicon sacrificial layer and xenon difluoride etching is employed for thermally-oxidised suspended Si nanowire channels. Device current-voltage characteristics demonstrate depletion mode operation of heavy doped nanowires with an on/off ratio of 105 and a threshold voltage of -1.8 V. In plane electromechanical pull-in to side gate is demonstrated and confirmed to be consistent with finite element analysis.

本文言語English
ページ(範囲)66-70
ページ数5
ジャーナルMicroelectronic Engineering
145
DOI
出版ステータスPublished - 2015 9月 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Fabrication and characterisation of suspended narrow silicon nanowire channels for low-power nano-electro-mechanical (NEM) switch applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル