Fabrication and characterization of C60 thin-film transistors with high field-effect mobility

S. Kobayashi*, T. Takenobu, S. Mon, A. Fujiwara, Y. Iwasa

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抄録

Fabrication and characterization of C60 thin-film transistors (TFT) with high field-effect mobility were reported. It was shown that n-type high mobility of 0.5 cm2/V was achieved in C60 TFT. Results showed that the high vacuum is more crucial for the high mobility rather than the grain size.

本文言語English
ページ(範囲)4581-4583
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
82
25
DOI
出版ステータスPublished - 2003 6月 23
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  • 物理学および天文学(その他)

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