Fabrication and packaging of a resonant infrared sensor integrated in silicon

C. Cabuz*, S. Shoji, K. Fukatsu, E. Cabuz, K. Minami, M. Esashi

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抄録

A novel integrated infrared (IR) sensor is described that incorporates a resonant silicon/silicon dioxide microbridge. The resonance frequency of the microbridge is sensitive to the incident IR power as a result of the thermally induced stress variation resulting from the absorption of the IR radiation. A merged process including on-wafer stress-free packaging, NMOS circuitry and bulk silicon micromachining is illustrated. One-port electrostatic excitation and capacitive detection was used, the resonator being electrically floating. Relative responsitivities of 450 ppm/μW of absorbed power were obtained.

本文言語English
ページ(範囲)92-99
ページ数8
ジャーナルSensors and Actuators: A. Physical
43
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1994 5
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 器械工学
  • 凝縮系物理学
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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Fabrication and packaging of a resonant infrared sensor integrated in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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