Fabrication of highly stacked quantum dot laser

Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

研究成果: Conference contribution

抄録

We fabricated broad-area laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots (QDs) using the strain-compensation technique; these diodes showed laser emission at 1529 nm in pulsed mode with a threshold current of 517.5 mA.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2009
出版ステータスPublished - 2009 12 1
外部発表はい
イベントConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2009 - Baltimore, MD, United States
継続期間: 2009 5 312009 6 5

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子版)2162-2701

Other

OtherConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2009
CountryUnited States
CityBaltimore, MD
Period09/5/3109/6/5

ASJC Scopus subject areas

  • Instrumentation
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics

フィンガープリント 「Fabrication of highly stacked quantum dot laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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