Fabrication of highly stacked quantum dot laser

Kouichi Akahane*, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

抄録

We fabricated broad-area laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots (QDs) using the strain-compensation technique; these diodes showed laser emission at 1529 nm in pulsed mode with a threshold current of 517.5 mA.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009
出版社Optical Society of America (OSA)
ISBN(印刷版)9781557528698
DOI
出版ステータスPublished - 2009
外部発表はい
イベントInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009 - Baltimore, MD, United States
継続期間: 2009 5月 312009 6月 5

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子版)2162-2701

Other

OtherInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009
国/地域United States
CityBaltimore, MD
Period09/5/3109/6/5

ASJC Scopus subject areas

  • 器械工学
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Fabrication of highly stacked quantum dot laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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