Fabrication of metal-oxide-diamond field-effect transistors with submicron-sized gate length on boron-doped (111) H-terminated surfaces using electron beam evaporated SiO 2 and Al 2O 3

Takeyasu Saito*, Kyung Ho Park, Kazuyuki Hirama, Hitoshi Umezawa, Mitsuya Satoh, Hiroshi Kawarada, Zhi Quan Liu, Kazutaka Mitsuishi, Kazuo Furuya, Hideyo Okushi

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フィンガープリント

「Fabrication of metal-oxide-diamond field-effect transistors with submicron-sized gate length on boron-doped (111) H-terminated surfaces using electron beam evaporated SiO 2 and Al 2O 3」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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