Fabrication of single-hole transistors on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope

Minoru Tachiki*, Hokuto Seo, Tokishige Banno, Yu Sumikawa, Hitoshi Umezawa, Hiroshi Kawarada

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抄録

Nanofabrication of electron devices based on the stability of hydrogen- and oxygen-terminated diamond surfaces is performed using an atomic force microscope modification technology. A nanotechnology involving the separation of CH and CO bonded surfaces has been applied to realize the single-hole transistors. The single-hole transistors operate at liquid-nitrogen temperature (77 K), where the Coulomb oscillation characteristics are clearly observed.

本文言語English
ページ(範囲)2854-2856
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
81
15
DOI
出版ステータスPublished - 2002 10 7

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  • 物理学および天文学(その他)

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「Fabrication of single-hole transistors on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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