Fabrication of ultrathin Si channel wall for vertical double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (DG MOSFET) by using ion-bombardment-retarded etching (IBRE)

Meishoku Masahara*, Takashi Matsukawa, Kenichi Ishii, Yongxun Liu, Masayoshi Nagao, Hisao Tanoue, Takashi Tanii, Iwao Ohdomari, Seigo Kanemaru, Eiichi Suzuki

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フィンガープリント

「Fabrication of ultrathin Si channel wall for vertical double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (DG MOSFET) by using ion-bombardment-retarded etching (IBRE)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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