Field emission properties of heavily Si-doped AIN in triode-type display structure

Yoshitaka Taniyasu, Makoto Kasu, Toshiki Makimoto

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抄録

A triode-type field emission display using heavily Si-doped AlN was reported. The device consists of a field emitter, mesh grid, and an anode screen. The device exhibits a low turn-on electric field of 11 V/μm. It was found that the field emission current increases with an increase in grid voltage. Results show that the field emission current is a stable one.

本文言語English
ページ(範囲)2115-2117
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
84
12
DOI
出版ステータスPublished - 2004 3 22
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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「Field emission properties of heavily Si-doped AIN in triode-type display structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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