Formation of SiGe and SiGeC layers on Si by Ge and C ion implantation and subsequent ion-beam-induced epitaxial crystallization

Naoto Kobayashi*, Masataka Hasegawa, J. R. Phillips, Nobuyuki Hayashi, Hisao Tanoue, Hajime Shibata, Yunosuke Makita

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Formation of SiGe and SiGeC layers on Si by Ge and C ion implantation and subsequent ion-beam-induced epitaxial crystallization」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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