Fully-depleted FBC (Floating Body Cell) with enlarged signal window and excellent logic process compatibility

Tomoaki Shino*, Tomoki Higashi, Naoki Kusunoki, Katsuyuki Fujita, Takashi Ohsawa, Nobutoshi Aoki, Hiroyoshi Tanimoto, Yoshihiro Minami, Takashi Yamada, Mutsuo Morikado, Hiroomi Nakajima, Kazumi Inoh, Takeshi Hamamoto, Akihiro Nitayama

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抄録

Fully-depleted (FD) Floating Body Cell on 55nm SOI featuring excellent logic process compatibility has been successfully developed. For the first time FD operation is reported through significant signal enlargement by negative substrate bias. Using standard salicide process and FD operation, high-density embedded memory on SOI is achievable.

本文言語English
ページ(範囲)281-282
ページ数2
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
出版ステータスPublished - 2004
外部発表はい
イベントIEEE International Electron Devices Meeting, 2004 IEDM - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2004 12月 132004 12月 15

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Fully-depleted FBC (Floating Body Cell) with enlarged signal window and excellent logic process compatibility」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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