Fundamental characteristics of 1550nm-band 20-layer-stacked QD-SOA grown on InP(311)B substrate for all-optical logic gate device

A. Matsumoto, Y. Takei, A. Matsushita, K. Akahane, Y. Matsushima, K. Utaka

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

In this paper, we fabricated the QD-SOA which utilized the highly-stacked quantum dots structure with the strain-compensation technique and MQW-SOA, and compared the measured fundamental characteristics to the one of MQW-SOA.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルTechnical Digest of the 18th Microoptics Conference, MOC 2013
出版ステータスPublished - 2013
イベント2013 18th Microoptics Conference, MOC 2013 - Tokyo, Japan
継続期間: 2013 10 272013 10 30

出版物シリーズ

名前Technical Digest of the 18th Microoptics Conference, MOC 2013

Conference

Conference2013 18th Microoptics Conference, MOC 2013
国/地域Japan
CityTokyo
Period13/10/2713/10/30

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Fundamental characteristics of 1550nm-band 20-layer-stacked QD-SOA grown on InP(311)B substrate for all-optical logic gate device」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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