Fundamental evaluation of semiconductor waveguide-type in-line wavelength selective filter with Fabry-Perot etalon resonator

M. Otaka, S. Takahashi, K. Utaka, M. Horita, T. Yazaki

研究成果: Article査読

抄録

The structure, fabrication and fundamental filtering characterstics of an InGaAsP semiconductor-type in-line wavelength selective filter with a Fabry-Perot etalon resonator were presented. Filtering was obtained at transmission wavelength interval of 0.8 nm. The devices were fabricated by liquid phase epitaxy (LPE) on Inp substrates.

本文言語English
ページ(範囲)170-173
ページ数4
ジャーナルConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
DOI
出版ステータスPublished - 2001 1月 1

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Fundamental evaluation of semiconductor waveguide-type in-line wavelength selective filter with Fabry-Perot etalon resonator」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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