Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes

T. Deguchi*, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, M. Arita, H. Nakanishi, S. Nakamura

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抄録

A systematic study of the optical gain of continuous wave InGaN multiple quantum well laser diode wafers has been made using the variable excitation-stripe length method. Experimental evidence is given of stimulated emission enhanced by resonance between degenerate states and non-degenerate ones, which co-exist in quantum wells having spatial potential undulation due to considerable fluctuation of the InGaN composition.

本文言語English
ページ(範囲)97-101
ページ数5
ジャーナルSemiconductor Science and Technology
13
1
DOI
出版ステータスPublished - 1998 1 1

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

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「Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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