Gas source molecular beam epitaxy growth of GaAs/InGaP superlattice as optical confinement layers in 0.98 μm InGaAs/InGaP strained quantum well lasers

M. Usami*, Yuichi Matsushima, Y. Takahashi

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フィンガープリント

「Gas source molecular beam epitaxy growth of GaAs/InGaP superlattice as optical confinement layers in 0.98 μm InGaAs/InGaP strained quantum well lasers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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