Gate electrode engineering by control of grain growth for high performance and high reliable 0.18 μm dual gate CMOS

S. Shimizu*, T. Kuroi, H. Sayama, A. Furukawa, Y. Nishida, Y. Inoue, M. Inuishi, T. Nishimura

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フィンガープリント

「Gate electrode engineering by control of grain growth for high performance and high reliable 0.18 μm dual gate CMOS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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