Graphene optical modulator on silicon waveguide controlled by fine metal-Top gate

D. Y. Hori, R. Kou, T. Tsuchizawa, Y. Kobayashi, Y. Harada, H. Hibino, T. Yamamoto, K. Yamada, H. Nakajima

    研究成果: Conference contribution

    抄録

    We proposed a fine-metal gated graphene optical modulator on a CMOS compatible silicon photonic platform. A maximum extinction ratio of 1.2dB is realized by using a 25-nm thick Al2O3 gate capacitor. Optimized device structure and initial Fermi energy dependences are discussed.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトル2016 IEEE 13th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2016
    出版社IEEE Computer Society
    ページ90-91
    ページ数2
    2016-November
    ISBN(電子版)9781509019038
    DOI
    出版ステータスPublished - 2016 11 8
    イベント13th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2016 - Shanghai, China
    継続期間: 2016 8 242016 8 26

    Other

    Other13th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2016
    国/地域China
    CityShanghai
    Period16/8/2416/8/26

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子工学および電気工学
    • セラミックおよび複合材料
    • 電子材料、光学材料、および磁性材料

    フィンガープリント

    「Graphene optical modulator on silicon waveguide controlled by fine metal-Top gate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル