Growth of a ZnSe-ZnTe strained-layer superlattice on an InP substrate by molecular beam epitaxy

Masakazu Kobayashi*, Naoki Mino, Hironori Katagiri, Ryuhei Kimura, Makoto Konagai, Kiyoshi Takahashi

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抄録

A ZnSe-ZnTe strained-layer superlattice (SLS) was grown on an InP substrate by molecular beam epitaxy for the first time. The x-ray diffraction measurement technique was used to confirm the existence of the high quality SLS structure. Overall quality may also be inferred from the observed quantum size effects of the photoluminescence data.

本文言語English
ページ(範囲)296-297
ページ数2
ジャーナルApplied Physics Letters
48
4
DOI
出版ステータスPublished - 1986 12 1
外部発表はい

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「Growth of a ZnSe-ZnTe strained-layer superlattice on an InP substrate by molecular beam epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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