Growth of Ge 1-xC x alloys on Si by combined low-energy ion beam and molecular beam epitaxy method

H. Shibata*, S. Kimura, P. Fons, A. Yamada, Y. Makita, A. Obara, Naoto Kobayashi, H. Takahashi, H. Katsumata, J. Tanabe, S. Uekusa

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Growth of Ge 1-xC x alloys on Si by combined low-energy ion beam and molecular beam epitaxy method」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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