Growth of Si 1-xSn x layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG)

Naoto Kobayashi*, M. Hasegawa, N. Hayashi, H. Katsumata, Y. Makita, H. Shibata, S. Uekusa

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

This paper presents the results of formation of metastable alloy semiconductor layers of Si 1-xSn x Si (100) grown by the ion-beam-induced epitaxial crystallization process and their structural properties compared with those for the same layers grown by the solid phase epitaxial growth process. Optical properties that are relevant to defects in the crystallized layers are also presented.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルMaterials Research Society Symposium - Proceedings
出版社Materials Research Society
ページ207-212
ページ数6
396
出版ステータスPublished - 1996
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Growth of Si <sub>1-x</sub>Sn <sub>x</sub> layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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