Heteroepitaxial growth of GaAs/Ge buffer layer on Si for metamorphic InGaAs lasers

Ryo Nakao, Masakazu Arai, Takaaki Kakitsuka, Shinji Matsuo

研究成果: Article査読

抄録

We demonstrate heteroepitaxial growth of GaAs/Ge buffer layers for fabricating 1.3-μm range metamorphic InGaAs-based multiple quantum well (MQW) lasers in which the Ge buffer layer is grown using a metal-organic Ge precursor, iso-butyl germane, in a conventional metalorganic vapor phase epitaxy reactor. This enables us to grow Ge and GaAs buffer layers in the same reactor seamlessly. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction analyses indicate that dislocations are well confined at the Ge/Si interface. Furthermore, thermal-cycle annealing significantly improves crystalline quality at the GaAs/Ge interface, resulting in higher photoluminescence intensity from the MQWs on the buffer layers.

本文言語English
ページ(範囲)537-544
ページ数8
ジャーナルIEICE Transactions on Electronics
E101C
7
DOI
出版ステータスPublished - 2018 7月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Heteroepitaxial growth of GaAs/Ge buffer layer on Si for metamorphic InGaAs lasers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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