抄録
Tungsten carbide (WC) layers have been grown epitaxially on tungsten single crystals for the first time by using microwave plasma and electron cyclotron resonance plasma carburization of single-crystalline tungsten. WC on tungsten is grown epitaxially as (000l)WC//(110)W in the alignment [1210]WC//[111]W.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 3628-3630 |
| ページ数 | 3 |
| ジャーナル | Japanese journal of applied physics |
| 巻 | 34 |
| 号 | 7R |
| DOI | |
| 出版ステータス | Published - 1995 7月 |
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