Heteroepitaxial growth of tungsten carbide films on w(110) by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Masahiro Katoh, Hiroshi Kawarada*

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抄録

Tungsten carbide (WC) layers have been grown epitaxially on tungsten single crystals for the first time by using microwave plasma and electron cyclotron resonance plasma carburization of single-crystalline tungsten. WC on tungsten is grown epitaxially as (000l)WC//(110)W in the alignment [1210]WC//[111]W.

本文言語English
ページ(範囲)3628-3630
ページ数3
ジャーナルJapanese journal of applied physics
34
7R
DOI
出版ステータスPublished - 1995 7

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  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Heteroepitaxial growth of tungsten carbide films on w(110) by plasma-enhanced chemical vapor deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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