Heterogeneously integrated lasers using epitaxially grown III-V active layer on directly bonded InP/SiO2/Si substrate

Takuro Fujii, Koji Takeda, Erina Kanno, Koichi Hasebe, Hidetaka Nishi, Tsuyoshi Yamamoto, Takaaki Kakitsuka, Shinji Matsuo

研究成果: Conference contribution

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抄録

We have grown an active InGaAsP-6QW core layer on a thin-InP layer directly bonded to a SiO/Si substrate in order to fabricate a membrane laser. The device exhibits a 1.35-mA threshold current, a 340-wW fiber output power, and direct modulation up to 40 Gbit/s (NRZ).

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2016 IEEE Photonics Conference, IPC 2016
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ540-541
ページ数2
ISBN(電子版)9781509019069
DOI
出版ステータスPublished - 2017 1月 23
外部発表はい
イベント29th IEEE Photonics Conference, IPC 2016 - Waikoloa, United States
継続期間: 2016 10月 22016 10月 6

出版物シリーズ

名前2016 IEEE Photonics Conference, IPC 2016

Other

Other29th IEEE Photonics Conference, IPC 2016
国/地域United States
CityWaikoloa
Period16/10/216/10/6

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Heterogeneously integrated lasers using epitaxially grown III-V active layer on directly bonded InP/SiO2/Si substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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