High current gain (>2000) and reduced common-emitter offset voltage of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors

Toshiki Makimoto, K. Kumakura, N. Kobayashi

研究成果: Conference contribution

抄録

In this paper, we report on the significantly improved common-emitter I-V characteristics of GaN/InGaN DHBT with this regrown p-InGaN base layer.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルDevice Research Conference - Conference Digest, DRC
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ23-24
ページ数2
2003-January
ISBN(印刷版)0780377273
DOI
出版ステータスPublished - 2003
外部発表はい
イベント61st Device Research Conference, DRC 2003 - Salt Lake City, United States
継続期間: 2003 6月 232003 6月 25

Other

Other61st Device Research Conference, DRC 2003
国/地域United States
CitySalt Lake City
Period03/6/2303/6/25

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「High current gain (>2000) and reduced common-emitter offset voltage of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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