High current gain (>2000) of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors using base regrowth of p-InGaN

Toshiki Makimoto, Kazuhide Kumakura, Naoki Kobayashi

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抄録

GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors (DHBT) with a regrown p-InGaN base layer were fabricated on SiC substrates. The base ohmic characteristics were much improved by the extrinsic base regrowth. It was found that regrowth of p-InGaN is effective for improving the characteristics of nitride HBTs.

本文言語English
ページ(範囲)1035-1037
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
83
5
DOI
出版ステータスPublished - 2003 8 4
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「High current gain (>2000) of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors using base regrowth of p-InGaN」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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