High-Efficiency HBT MMIC Linear Power Amplifier for L-Band Personal Communications Systems

Toshihiko Yoshimasu, Noriyuki Tanba, Shinji Hara

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抄録

A heterojunction bipolar transistor (HBT) MMIC linear power amplifier is demonstrated for the 1.9 GHz Japanese Personal Handy Phone utilizing the π/4 DQPSK modulation technique. At an operating voltage of only 3 V, an output power of 21 dBm and a power added efficiency of 35% are obtained along with a modulation vector error of 4.5% and an adjacent channel interference of -60 dBc in +/—600 kHz offset frequency bands.

本文言語English
ページ(範囲)65-67
ページ数3
ジャーナルIEEE Microwave and Guided Wave Letters
4
3
DOI
出版ステータスPublished - 1994 3
外部発表はい

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  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「High-Efficiency HBT MMIC Linear Power Amplifier for L-Band Personal Communications Systems」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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