High Linearity and High Efficiency Stacked-FET Millimeter-Wave Power Amplifier ICs

研究成果: Conference contribution

抄録

Recently reported CMOS power amplifier ICs for microwave and millimeter-wave communication systems such as 5G are summarized and reviewed in this paper. Stacked-FETs are widely utilized to increase the output power and to conquer low breakdown voltage issues. In addition, adaptive bias and load circuits are fully described to improve the linearity and back-off efficiency of the power amplifier ICs in this paper.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2020
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ172-174
ページ数3
ISBN(電子版)9781728165066
DOI
出版ステータスPublished - 2020 9
イベント2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2020 - Hiroshima, Japan
継続期間: 2020 9 22020 9 4

出版物シリーズ

名前2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2020

Conference

Conference2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2020
国/地域Japan
CityHiroshima
Period20/9/220/9/4

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 器械工学
  • 放射線

フィンガープリント

「High Linearity and High Efficiency Stacked-FET Millimeter-Wave Power Amplifier ICs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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