High power AlGaAs/GaAs HBTs and their application to mobile communications systems

Toshihiko Yoshimasu*

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抄録

This paper addresses the power application of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) to L-band mobile communications systems. From points of view of circuit and systems design, features of HBT technology are discussed and compared with those of GaAs MESFET technology.

本文言語English
ページ(範囲)787-790
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータスPublished - 1995 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1995 International Electron Devices Meeting, IEDM'95 - Washington, DC, USA
継続期間: 1995 12 101995 12 13

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「High power AlGaAs/GaAs HBTs and their application to mobile communications systems」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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