抄録
This paper addresses the power application of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) to L-band mobile communications systems. From points of view of circuit and systems design, features of HBT technology are discussed and compared with those of GaAs MESFET technology.
本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 787-790 |
ページ数 | 4 |
ジャーナル | Technical Digest - International Electron Devices Meeting |
出版ステータス | Published - 1995 12月 1 |
外部発表 | はい |
イベント | Proceedings of the 1995 International Electron Devices Meeting, IEDM'95 - Washington, DC, USA 継続期間: 1995 12月 10 → 1995 12月 13 |
ASJC Scopus subject areas
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
- 凝縮系物理学
- 電子工学および電気工学
- 材料化学