High reliability planar-type GaInAs/InP heterostructure avalanche photodiodes

Yuichi Matsushima, S. Akiba, Y. Kushiro

研究成果: Article査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

High-temperature, long-term life tests of GaInAs/Inp heterostructure avalanche photodiodes have been carried out to establish criteria for high reliability photodetectors in 1.55 μm-wavelength optical submarine cable systems. A failure rate of less than 0.2 FIT at 10°C was predicted with an activation energy of 0.7 ev.

本文言語English
ページ(範囲)1013-1014
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
24
16
出版ステータスPublished - 1988 8 4
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「High reliability planar-type GaInAs/InP heterostructure avalanche photodiodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル