HIGH SENSITIVITY OF VPE-GROWN InGaAs/InP-HETEROSTRUCTURE APD WITH BUFFER LAYER AND GUARD-RING STRUCTURE.

Yuichi Matsushima*, Y. Noda, Y. Kushiro, N. Seki, S. Akiba

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

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抄録

A planar-type InGaAs/InP-heterostructure APD with an InGaAsP buffer layer was made by using a VPE technique. To avoid the edge breakdown, a guard-ring structure was employed. The average received optical power for a 10** minus **9 error rate at 280 Mbit/s was as low as minus 43 dbm, which corresponded to 2 and 7 db improvements over a Ge-APD at 1. 52 and 1. 59 mu m, respectively.

本文言語English
ページ(範囲)235-236
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
20
6
出版ステータスPublished - 1984 1 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「HIGH SENSITIVITY OF VPE-GROWN InGaAs/InP-HETEROSTRUCTURE APD WITH BUFFER LAYER AND GUARD-RING STRUCTURE.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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