High-speed-response InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode with InGaAsP buffer layers

Y. Matsushima, S. Akiba, K. Sakai, Y. Kushiro, Y. Noda, K. Utaka

研究成果: Article

55 引用 (Scopus)

抜粋

The optical response time of an InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode (HAPD) with InGaAsP buffer layers is reported. It is shown that the buffer layers play an important role in reduction of the pile-up effect and are considered to be effective in achieving high-speed InGaAs/InP HAPDs.

元の言語English
ページ(範囲)945-946
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
18
発行部数22
DOI
出版物ステータスPublished - 1982 10 28
外部発表Yes

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント High-speed-response InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode with InGaAsP buffer layers' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

  • これを引用