抜粋
The optical response time of an InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode (HAPD) with InGaAsP buffer layers is reported. It is shown that the buffer layers play an important role in reduction of the pile-up effect and are considered to be effective in achieving high-speed InGaAs/InP HAPDs.
| 元の言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 945-946 |
| ページ数 | 2 |
| ジャーナル | Electronics Letters |
| 巻 | 18 |
| 発行部数 | 22 |
| DOI | |
| 出版物ステータス | Published - 1982 10 28 |
| 外部発表 | Yes |
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- Electrical and Electronic Engineering
フィンガープリント High-speed-response InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode with InGaAsP buffer layers' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。
これを引用
Matsushima, Y., Akiba, S., Sakai, K., Kushiro, Y., Noda, Y., & Utaka, K. (1982). High-speed-response InGaAs/InP heterostructure avalanche photodiode with InGaAsP buffer layers. Electronics Letters, 18(22), 945-946. https://doi.org/10.1049/el:19820649