Hole accumulation in (In)GaSb/AlSb quantum wells induced by the Fermi-level pinning of an InAs surface

Toshiki Makimoto*, Berinder Brar, Herbert Kroemer

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We demonstrate hole accumulation in unintentionally doped (In)GaSb/AlSb quantum wells, using an InAs surface as a cap layer. From the hole concentrations in quantum wells, the energy difference between the conduction band edge of InAs and the valence band edge of GaSb is estimated. Relatively high two-dimensional hole mobilities of 650 and 7000 cm2/V · s are obtained from Hall measurements at 300 and 77 K. For a strained InGaSb/AlSb quantum well, mobility enhancement is observed.

本文言語English
ページ(範囲)883-886
ページ数4
ジャーナルJournal of Crystal Growth
150
DOI
出版ステータスPublished - 1995
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Hole accumulation in (In)GaSb/AlSb quantum wells induced by the Fermi-level pinning of an InAs surface」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル